સોલર સેલની રચના, કાર્યપદ્ધતિ અને ઉપયોગનું વર્ણન કરો.

Vedclass pdf generator app on play store
Vedclass iOS app on app store
(N/A) સોલર સેલ મૂળભૂત રીતે એક $p-n$ જંકશન છે જે જ્યારે તેના પર સૌર વિકિરણ પડે છે ત્યારે વિદ્યુતચાલક બળ $(emf)$ ઉત્પન્ન કરે છે। સોલર સેલ માટે માત્ર સૂર્યપ્રકાશ જ જરૂરી નથી, પરંતુ પ્રકાશના ફોટોનની ઉર્જા જે સેમિકન્ડક્ટરની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા $(E_{g})$ કરતા વધારે હોય તે પણ ફોટોવોલ્ટેજ ઉત્પન્ન કરી શકે છે। સોલર સેલની કાર્યપદ્ધતિ ફોટોવોલ્ટેઇક અસર પર આધારિત છે, જે ફોટોડાયોડ જેવી જ છે, પરંતુ તેમાં બાહ્ય બેટરીની જરૂર પડતી નથી।
રચના:
$1$. લગભગ $300 \mu m$ જાડાઈની $p-Si$ વેફર લેવામાં આવે છે।
$2$. એક બાજુ પર ડિફ્યુઝન પ્રક્રિયા દ્વારા $n-Si$ નું પાતળું સ્તર $(\, 0.3 \mu m)$ ઉગાડવામાં આવે છે, જેથી $p-n$ જંકશન બને છે।
$3$. $p-Si$ વેફરની નીચેની બાજુએ ધાતુનું પડ ચડાવવામાં આવે છે જે 'બેક કોન્ટેક્ટ' તરીકે કાર્ય કરે છે।
$4$. $n-Si$ સ્તરની ઉપરના ભાગમાં, ધાતુની ગ્રીડ (અથવા ફિંગર ઇલેક્ટ્રોડ) મૂકવામાં આવે છે જે 'ફ્રન્ટ કોન્ટેક્ટ' તરીકે કાર્ય કરે છે। આ ગ્રીડ સપાટીના ખૂબ જ નાના ભાગ $( < 15 \%)$ ને આવરી લે છે જેથી પ્રકાશ મહત્તમ રીતે અંદર પ્રવેશી શકે।
કાર્યપદ્ધતિ:
સોલર સેલ દ્વારા $emf$ નું નિર્માણ ત્રણ મૂળભૂત પ્રક્રિયાઓ દ્વારા થાય છે:
$(1)$ જંકશનની નજીક પ્રકાશના શોષણને કારણે ઇલેક્ટ્રોન-હોલ $(e-h)$ જોડીઓનું નિર્માણ $(h\nu > E_{g})$।
$(2)$ ડેપ્લેશન રિજનના વિદ્યુતક્ષેત્રને કારણે ઇલેક્ટ્રોન અને હોલનું અલગ થવું। ઇલેક્ટ્રોન $n$-બાજુ તરફ અને હોલ $p$-બાજુ તરફ ધકેલાય છે।
$(3)$ ચાર્જનું એકત્રીકરણ: $n$-બાજુ પર પહોંચેલા ઇલેક્ટ્રોન ફ્રન્ટ કોન્ટેક્ટ દ્વારા અને $p$-બાજુ પર પહોંચેલા હોલ બેક કોન્ટેક્ટ દ્વારા એકત્રિત થાય છે। આથી $p$-બાજુ ધન અને $n$-બાજુ ઋણ બને છે, જેનાથી ફોટોવોલ્ટેજ ઉત્પન્ન થાય છે।
ઉપયોગ:
સોલર સેલનો ઉપયોગ કેલ્ક્યુલેટર, ઘડિયાળ, ઉપગ્રહો અને દૂરના વિસ્તારોમાં વીજળી ઉત્પન્ન કરવા માટે થાય છે।

Explore More

Similar Questions

સોલર સેલ બનાવવા માટે યોગ્ય પદાર્થ કયો છે?

પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે આપણે શેનો ઉપયોગ કરીએ છીએ?

વિધાન: રિવર્સ બાયસ ધરાવતા $p-n$ જંકશનનો ઉપયોગ પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોટો-ડાયોડ તરીકે થઈ શકે છે.
કારણ: રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં પ્રવાહ ઓછો હોય છે પરંતુ તે આપાત પ્રકાશની તીવ્રતામાં થતા ફેરફારો પ્રત્યે વધુ સંવેદનશીલ હોય છે.

એક લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ $GaAs$ સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે, જેનો બેન્ડ ગેપ $1.42 \,eV$ છે. $LED$ માંથી ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?

પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે આપણે શું વાપરીએ છીએ?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo